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By Boylestad

ISBN-10: 6074422923

ISBN-13: 9786074422924

Esta décima edición otorga un acercamiento a los sistemas encapsulados y pone énfasis en los angeles solución de fallas lo que es muy útil para una completa comprensión de situaciones reales.Además, se incluyen aplicaciones prácticas y extensos conjuntos de problemas y ejemplos actualizados para reforzar los conceptos básicos. Estas características hacen que esta obra sea excellent para un curso de nivel more suitable sobre dispositivos y circuitos activos.

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En el estado de polarización en directa ya antes se demostró que hay una gran cantidad de electrones del material tipo n que avanzan a través del material tipo p y una gran cantidad de huecos en el material tipo n, lo cual es un requisito para la conducción. Los electrones en el material tipo p y los huecos que avanzan a través del material tipo n establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado se tiene que invertir para establecer una situación de polarización en inversa, de algún modo nos gustaría ver que el diodo cambia instantáneamente del estado de conducción al de no conducción.

Entre estos valores, la resistencia de ca cambiaría del valor alto con 2 mA al valor bajo con 17 mA. 7) define un valor considerado como el promedio de los valores de ca desde 2 mA hasta 17 mA. El hecho de que un nivel de resistencia se pueda utilizar en un intervalo tan amplio de características comprobará su utilidad en la definición de circuitos equivalentes de un diodo en una sección posterior. Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto más bajo sea el nivel de las corrientes utilizadas para determinar la resistencia promedio, más alto será el nivel de resistencia.

33. El hecho de que la capacitancia depende del potencial de polarización en inversa aplicado tiene aplicación en varios sistemas electrónicos. De hecho, en el capítulo 16 se presenta un diodo cuya operación depende por completo de este fenómeno. 5 )V( FIG. 33 Capacitancias de transición y difusión contra polarización aplicada en un diodo de silicio. cual se inyecta la carga en las regiones justo fuera de la región de empobrecimiento. El resultado es que los niveles incrementados de corriente aumentan los niveles de capacitancia de difusión.

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Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos by Boylestad


by Donald
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